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具有螺旋结构的直流电阻加热器及SiC单晶生长装置

申请号: CN202420548750.1
申请人: 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
更新日期: 2026-04-22

专利详细信息

项目 内容
专利名称 具有螺旋结构的直流电阻加热器及SiC单晶生长装置
专利类型 实用新型
申请号 CN202420548750.1
申请日 2024/3/20
公告号 CN222073421U
公开日 2024/11/26
IPC主分类号 H05B3/10
权利人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
发明人 于国建; 请求不公布姓名; 徐南
地址 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路8号

摘要文本

广州南砂晶圆半导体技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本申请提供一种具有螺旋结构的直流电阻加热器及SiC单晶生长装置,其中的直流电阻加热器采用螺旋结构设计,通过调整螺旋结构轴向不同位置处的螺距,从而控制轴向不同位置处的发热量,使得中部发热体轴向单位长度的发热量大于底部发热体轴向单位长度的发热量,如此,在应用时,可以在底部物料与中上部物料之间形成轴向温度梯度,底部物料的温度低于中上部物料的温度,因而底部分解的SiC气相组分在上升过程中不会在温度较高的物料表面结晶,而是直接进入生长腔体内,并通过扩散或对流在籽晶上结晶,提高晶体的生长速度。

专利主权项内容

1.一种具有螺旋结构的直流电阻加热器,其特征在于,沿第一方向,所述直流电阻加热器(1)包括底部发热体(11)及中部发热体(12);其中,底部发热体(11)用于加热坩埚(2)内物料装填区(2A)底部的物料,所述中部发热体(12)用于加热坩埚(2)内物料装填区(2A)中上部的物料;所述第一方向为所述直流电阻加热器(1)的轴向;
所述底部发热体(11)及中部发热体(12)为螺旋结构;
沿所述第一方向,所述底部发热体(11)对应处的螺旋结构的螺距为d1,所述中部发热体(12)对应处的螺旋结构的螺距为d2,d2<d1。。数据由马 克 团 队整理