电压调节电路

专利主权项内容

1.一种电压调节电路，特征在于包括：
并联并耦合在输入电压和地之间的第一电路支路和第二电路支路，第一电路支路包括电流发生器，该电流发生器包括第一耗尽型MOSFET晶体管，其栅源电压为与绝对温度成比例(PTAT)电压，输入电压为直流(DC)电压供应；
电压基准电路，被配置为供应与温度变化无关的基准电压，第一耗尽型MOSFET晶体管耦合在输入电压和电压基准电路之间，电压基准电路包括第一增强型MOSFET晶体管，其栅源电压为与绝对温度互补(CTAT)电压，
第一增强型MOSFET晶体管的源极通过源极电阻器耦合到地，
作为源极电阻器上的PTAT电压降与第一增强型MOSFET晶体管的栅源电压之和的基准电压形成在第一增强型MOSFET晶体管上，
第一增强型MOSFET晶体管布置在第一电路支路上，
第一增强型MOSFET晶体管的漏极通过控制节点耦合到第一耗尽型MOSFET晶体管，
控制节点耦合到第一增强型MOSFET晶体管的栅极，
第一耗尽型MOSFET晶体管被配置为在第一电路支路中注入PTAT电流，其确定源极电阻器上的PTAT电压降，
第二电路支路包括耦合在输入电压和其上输出调节后的电压的输出节点之间的输出级，
输出级包括MOSFET晶体管；以及
耦合到输出节点的电阻分压器，该电阻分压器被配置为在分压器输出节点上输出分压输出调节电压，该分压输出调节电压作为耦合到基准电压的负反馈环路的过程变量输入，负反馈环路的输出控制输出级的MOSFET晶体管的栅极。