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一种SIC驱动保护电路

申请号: CN202420295975.0
申请人: 安徽大学
更新日期: 2026-04-25

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种SIC驱动保护电路
专利类型 实用新型
申请号 CN202420295975.0
申请日 2024/2/18
公告号 CN222282790U
公开日 2024/12/31
IPC主分类号 H02H7/12
权利人 安徽大学
发明人 过希文; 朱熙雯; 江桧蓥; 钱晨远; 魏登莲
地址 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号

摘要文本

安徽大学取得“一种透气窗帘布”专利技术,一种SIC驱动保护电路,所述电路包括芯片、短路关断驱动电路和短路检测电路;所述短路关断驱动电路包括与芯片的10脚连接的三极管Q4,所述三极管Q4的基极与芯片的10脚连接,所述三极管Q4的基极与发射极之间连接有电阻R8,所述三极管Q4的发射极与SICMOSFET Q2的栅极G之间连接有电阻R7,所述三极管Q4的集电极连接‑5V,当N1驱动IC芯片的14脚出现过饱和时,输出短路软关断信号,通过电阻R8、电阻R7和三极管Q4实现SICMOSFET Q2的安全关断。本实用新型可广泛在DC24V~DC900V直流电力电子系统中,实现SICMOSFET功率器件的开关控制和短路安全保护。

专利主权项内容

微信公众号 1.一种SIC驱动保护电路,其特征在于,所述电路包括芯片、短路关断驱动电路和短路检测电路;
所述短路关断驱动电路包括与芯片的10脚连接的三极管Q4,所述三极管Q4的基极与芯片的10脚连接,所述三极管Q4的基极与发射极之间连接有电阻R8,所述三极管Q4的发射极与SICMOSFET Q2的栅极G之间连接有电阻R7,所述三极管Q4的集电极连接-5V,当N1驱动IC芯片的14脚出现过饱和时,输出短路软关断信号,通过电阻R8、电阻R7和三极管Q4实现SICMOSFET Q2的安全关断;
所述短路检测电路包括与芯片的14脚连接的电阻R1,所述电阻R1的一端与芯片的14脚连接,所述电阻R1的另一端与二极管D3的阳极连接,所述二极管D3的阴极与直流高压输入端UHout和SICMOSFET Q2的漏极连接,当芯片的14脚电压达到过饱和点,芯片立即发出关断信号,SICMOSFET Q2关断。