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射频功放偏置电路及射频功率放大器

申请号: CN202420252871.1
申请人: 南通至晟微电子技术有限公司
更新日期: 2026-04-25

专利详细信息

项目 内容
专利名称 射频功放偏置电路及射频功率放大器
专利类型 实用新型
申请号 CN202420252871.1
申请日 2024/2/1
公告号 CN222053014U
公开日 2024/11/22
IPC主分类号 H03F1/32
权利人 南通至晟微电子技术有限公司
发明人 李佳励; 方家兴; 陈吉; 路烜; 杨实
地址 江苏省南通市港闸区新康路33号15幢

摘要文本

南通至晟微电子技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开一种射频功放偏置电路及射频功率放大器,射频功放偏置电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第一电感;第二电阻为稳压电阻。射频功率放大器包括射频放大单元和前述射频功放偏置电路。本方案提供的射频功放偏置电路中第二电阻为稳压电阻,稳压电阻起到保持第三晶体管基极电位恒定的作用,从而降低射频功率管的基极偏置电压对温度的依赖,保持射频功率管的偏置电压的恒定,提高射频功率放大器的温度稳定性。

专利主权项内容

1.一种射频功放偏置电路,其特征在于,包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第一电感;
所述第一电阻的一端连接参考电压,所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端电性连接;
所述第二电阻的另一端接地;
所述第二晶体管的基极和所述第二晶体管的集电极电性连接,并与所述第一电阻的另一端电性连接;
所述第二晶体管的发射极与所述第一晶体管的集电极电性连接;
所述第一晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极电性连接,所述第一晶体管的发射极连接所述第三电阻的一端;
所述第三电阻的另一端接地;
所述第三晶体管的基极与所述第一电阻的另一端电性连接,所述第三晶体管的集电极与所述第一电感的第一端电性连接,所述第三晶体管的发射极与所述第四电阻的一端电性连接;
所述第一电感的另一端连接偏置电压;
所述第四电阻的另一端为所述射频功放偏置电路的输出端;其中,
所述第二电阻为稳压电阻。