发光二极管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:芜湖德豪润达光电科技有限公司
- 申请人地址:241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号
- 发明人: 芜湖德豪润达光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810395055.5 |
| 申请日 | 2018/4/27 |
| 公告号 | CN108389947B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L33/40 |
| 权利人 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 发明人 | 李若雅; 汪琼; 祝庆; 陈柏君; 陈柏松 |
| 地址 | 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号 |
摘要文本
本申请涉及一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括所述衬底、所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述复合导电层。所述第一半导体层设置于所述衬底的表面。所述活性层设置于所述第一半导体层远离所述衬底的表面。所述第二半导体层设置于所述活性层远离所述第一半导体层的表面。所述复合导电层包括所述石墨烯层状薄膜和多个所述Zn‑Sn‑O纳米线。所述石墨烯层状薄膜设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面。多个所述Zn‑Sn‑O纳米线间隔设置于所述石墨烯层状薄膜远离所述第二半导体层的表面。 （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管(100)包括：衬底(10)；第一半导体层(20)，设置于所述衬底(10)表面；活性层(30)，设置于所述第一半导体层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述活性层(30)为两层结构，所述活性层(30)包括一氮化铟镓层以及一氮化镓层，所述活性层(30)的厚度为145nm-165nm；第二半导体层(40)，设置于所述活性层(30)远离所述第一半导体层(20)的表面；复合导电层(50)，包括：石墨烯层状薄膜(51)，设置于所述第二半导体层(40)远离所述活性层(30)的表面；多个Zn-Sn-O纳米线(52)间隔设置于所述石墨烯层状薄膜(51)远离所述第二半导体层(40)的表面，所述Zn-Sn-O纳米线(52)的直径为10nm-15nm，所述Zn-Sn-O纳米线(52)的厚度为30nm-50nm；所述发光二极管(100)还包括：第一电极(60)，与所述第一半导体层(20)电连接；第二电极(70)，设置于所述石墨烯层状薄膜(51)远离所述第二半导体层(40)的表面，所述第二电极(70)设置于所述石墨烯层状薄膜(51)的中心位置，所述第一电极(60)和所述第二电极(70)至少为一层的整体结构。