一种用于半导体级多晶硅的置换装置

专利主权项内容

1.一种用于半导体级多晶硅的置换装置，包括固定组件(1)，所述固定组件(1)包括：
还原炉尾气管道(11)，其外侧设置有压力变送器(12)；
电动阀门(13)，设置于所述还原炉尾气管道(11)的一端；
第一连接管(14)，设置于所述电动阀门(13)的一侧；
吸气阀(15)，设置于所述第一连接管(14)的顶部；
其特征在于：所述第一连接管(14)的外侧设置有真空置换组件(2)，所述真空置换组件(2)包括：
L型分流管(22)，设置于所述第一连接管(14)的外侧；
罗茨泵(21)，设置于所述L型分流管(22)的一端；
第一分流管(23)，设置于所述罗茨泵(21)的一侧；
缓冲罐(24)，设置于所述第一分流管(23)的一端，并与所述第一连接管(14)的一端固定连接；
前级水环式真空泵(26)，设置于所述缓冲罐(24)的一侧。