半导体器件的质量改善方法、装置及高能粒子束光刻设备

专利主权项内容

1.一种半导体器件的质量改善方法，其特征在于，包括步骤：获取目标半导体器件对应的集成电路版图；其中，所述集成电路版图包括若干层集成电路子版图，每一层集成电路子版图分别对应所述目标半导体器件一层或多层材料层的图案；将若干层所述集成电路子版图分别转化为预设格式的灰度图片；获取所述灰度图片中目标像素点组成的各个连通区域以及各个所述连通区域的宽度；其中，每个所述连通区域内的所述目标像素点的灰度值在同一个预设灰度值区间内；根据各个所述连通区域的宽度所在的宽度区间以及预设的宽度区间与高能粒子束束斑大小之间的对应关系，获取所述高能粒子束光刻设备雕刻各个所述连通区域对应的图案时的目标高能粒子束束斑值；根据与所述目标高能粒子束束斑值对应的预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取所述灰度图片中各个所述连通区域内像素点对应的高能粒子束加工参数；在目标基材上依次制作相应的每一层所述材料层，并分别根据各层所述灰度图片中各个所述连通区域对应的目标高能粒子束束斑值，调节高能粒子束光刻设备中的电磁透镜控制高能粒子束束斑的大小，使雕刻所述连通区域的高能粒子束的束斑值为所述目标高能粒子束束斑值，再根据所述连通区域内各像素点对应的高能粒子束加工参数，控制高能粒子束光刻设备发射高能粒子束并作用于相应的材料层中所述连通区域对应的位置处，雕刻各层所述灰度图片中各个所述连通区域对应的图案至相应的所述材料层，得到所述目标半导体器件。