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光刻方法及光刻系统
申请人信息
- 申请人:上海光电科技创新中心
- 申请人地址:201210 上海市浦东新区海科路99号
- 发明人: 上海光电科技创新中心
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 光刻方法及光刻系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210937838.8 |
| 申请日 | 2022/8/5 |
| 公告号 | CN117555205A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | G03F7/11 |
| 权利人 | 上海光电科技创新中心 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 上海市浦东新区海科路99号 |
摘要文本
上海光电科技创新中心获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种光刻方法及光刻系统，该方法包括以下步骤：(1)在基底材料上利用负性光刻胶形成负胶层，并利用正性光刻胶在负胶层上形成正胶层；(2)对负胶层和正胶层进行图形化，从而在正胶层和负胶层上分别形成正图形区和负图形区，其中，正图形区大于负图形区；(3)用正胶显影液对正胶层进行显影，以去除正图形区中的正性光刻胶；以及(4)用负胶显影液对负胶层进行显影，以去除位于负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与正图形区、负图形区的尺寸相关的暴露区，以暴露基底材料。与现有的光刻技术相比，本发明的光刻方法更简单，通过图案轮廓化，实现比传统技术更小的线宽，该方法可广泛应用于半导体工艺，并具有广泛研究和应用价值。
专利主权项内容
1.一种光刻方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在基底材料上利用负性光刻胶形成负胶层，并利用正性光刻胶在所述负胶层上形成正胶层；(2)对所述负胶层和所述正胶层进行图形化，从而在所述正胶层和所述负胶层上分别形成正图形区和负图形区，其中，所述正图形区大于所述负图形区；(3)用正胶显影液对所述正胶层进行显影，以去除所述正图形区中的正性光刻胶；以及(4)用负胶显影液对所述负胶层进行显影，以去除位于所述负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与所述正图形区、所述负图形区的尺寸相关的暴露区，以暴露所述基底材料。