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半导体结构和半导体结构的制造方法
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构和半导体结构的制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210957711.2 |
| 申请日 | 2022/8/10 |
| 公告号 | CN117650132A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L25/065 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 庄凌艺; 吕开敏 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 |
摘要文本
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板上；所述存储模块包括沿第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层包括相连的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层所在的平面垂直于所述基板的上表面；所述第二布线层位于所述存储芯片远离所述基板的表面；引线，与所述第二布线层相连；引线框架，与所述引线和所述供电端口相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板上；所述存储模块包括沿第一方向堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层包括相连的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层所在的平面垂直于所述基板的上表面；所述第二布线层位于所述存储芯片远离所述基板的表面；引线，与所述第二布线层相连；引线框架，与所述引线和所述供电端口相连。