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半导体结构及其制备方法
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202211046968.9 |
| 申请日 | 2022/8/30 |
| 公告号 | CN117693192A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 韩清华 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 |
摘要文本
。本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底，包括衬底以及绝缘介质层，衬底内具有沿第一方向延伸的多个沟槽，沟槽两侧的衬底形成半导体柱，绝缘介质层位于半导体柱侧壁以及顶部；掺杂区，位于半导体柱底部的衬底内，掺杂区内具有多个相互间隔的第一位线槽，第一位线槽下方的衬底内具有沿第二方向延伸的第二位线槽，第二方向与第一方向之间具有夹角，第二位线槽连通多个第一位线槽；位线，位于第一位线槽以及第二位线槽内。通过对沟槽底部的掺杂区进行刻蚀，形成第一位线槽和第二位线槽，于第一位线槽以及第二位线槽内形成位线的方法，减小了了位线和半导体柱的接触电阻，增加了垂直全包围栅极的性能。
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括衬底以及绝缘介质层，所述衬底内具有沿第一方向延伸的多个沟槽，所述沟槽两侧的所述衬底形成半导体柱，所述绝缘介质层位于所述半导体柱侧壁以及顶部；掺杂区，位于所述半导体柱底部的所述衬底内，所述掺杂区内具有多个相互间隔的第一位线槽，所述第一位线槽下方的所述衬底内具有沿第二方向延伸的第二位线槽，所述第二方向与所述第一方向之间具有夹角，所述第二位线槽连通多个所述第一位线槽；位线，位于所述第一位线槽以及所述第二位线槽内。