粗甲硅烷纯化方法和粗甲硅烷纯化装置
申请人信息
- 申请人:烟台万华电子材料有限公司
- 申请人地址:264006 山东省烟台市经济技术开发区珠江路32号留学生创业园2号楼416室
- 发明人: 烟台万华电子材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 粗甲硅烷纯化方法和粗甲硅烷纯化装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210957026.X |
| 申请日 | 2022/8/10 |
| 公告号 | CN117623318A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | C01B33/04 |
| 权利人 | 烟台万华电子材料有限公司 |
| 发明人 | 吕坤; 陈刚军; 周明星; 韩雪; 于婧; 张说 |
| 地址 | 山东省烟台市经济技术开发区珠江路32号留学生创业园2号楼416室 |
摘要文本
本发明提供一种粗甲硅烷纯化方法和粗甲硅烷纯化装置，采用本发明的纯化方法纯化粗甲硅烷，对低含量的难去除杂质具有良好的去除效果，且纯化过程中损失率低，吸附塔中的吸附剂不需要频繁的进行周期性活化、钝化处理。所述粗甲硅烷纯化的方法，包括如下步骤：1)将待纯化的粗甲硅烷物料I送入脱轻精馏塔内，得到脱除了部分轻组分的甲硅烷物料II；2)将步骤1)得到的所述甲硅烷物料II送入脱重精馏塔内，得到脱除了部分重组分的甲硅烷物料III；3)将步骤2)得到的所述甲硅烷物料III送入吸附塔内，经一系列升压、降压、降温、升温等得到纯化甲硅烷。
专利主权项内容
1.一种粗甲硅烷纯化的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将待纯化的粗甲硅烷物料I送入脱轻精馏塔内，对所述粗甲硅烷物料I中的轻组分杂质进行脱除处理，得到脱除了部分轻组分的甲硅烷物料II；2)将步骤1)得到的所述甲硅烷物料II送入脱重精馏塔内，对所述甲硅烷物料II中的重组分杂质进行脱除处理，得到脱除了部分重组分的甲硅烷物料III；3)将步骤2)得到的所述甲硅烷物料III送入温度为初始温度的吸附塔内；接收了所述甲硅烷物料III的吸附塔的压力上升并最终稳定在第一压力，然后将吸附塔降温至≤-20℃；在所述降温过程中，所述吸附塔的压力下降并最终维持在第二压力，当所述吸附塔的压力维持在所述第二压力时，将所述吸附塔内的气相物料抽出并回流至步骤1)中所述的脱轻精馏塔；从所述吸附塔抽出所述气相物料的过程中，所述吸附塔的压力下降，当所述吸附塔的压力下降至≤0.05MPaA时，停止所述抽出操作，吸附塔进入静置状态；在所述静置状态下，所述吸附塔的压力上升并最终稳定在第三压力；当所述吸附塔的压力稳定在所述第三压力时，将所述吸附塔内的气相物料输出作为纯化甲硅烷；当吸附塔内的压力下降至≤0.05MPaA时，停止所述气相物料输出操作，并将吸附塔升温至所述初始温度，将所述吸附塔内的气相物料抽出并回流至步骤1)中所述的脱轻精馏塔内。