← 返回列表
单晶氮化铝材料及其制备方法
申请人信息
- 申请人:松山湖材料实验室
- 申请人地址:523808 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
- 发明人: 松山湖材料实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 单晶氮化铝材料及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210922436.0 |
| 申请日 | 2022/8/2 |
| 公告号 | CN117488408A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | C30B29/38 |
| 权利人 | 松山湖材料实验室 |
| 发明人 | 王新强; 袁冶; 刘上锋; 康俊杰; 罗巍; 李泰; 曹家康 |
| 地址 | 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋 |
摘要文本
本申请涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种单晶氮化铝材料及其制备方法。单晶氮化铝材料的制备方法包括：对前驱体进行氮等离子体辐照处理；前驱体包括交替堆叠的氮化铝层和单质铝层；氮等离子体辐照处理的温度不低于1300℃。在氮等离子体辐照处理下，交替堆叠的氮化铝层和单质铝层可以在1300℃下就重结晶形成单晶氮化铝材料，且单晶质量较高，位错密度小于109/cm2数量级。无需在高于1700℃的高温环境下进行面对面退火，即可制备出高质量的单晶氮化铝材料，制备工艺简单易行，适于大规模产业化生产，且有利于避免面对面退火工艺带来的表面划痕等机械磨损，产品良率较高，极大程度地扩展了单晶氮化铝材料的应用范围。
专利主权项内容
1.一种单晶氮化铝材料的制备方法，其特征在于，包括：对前驱体进行氮等离子体辐照处理；其中，所述前驱体包括交替堆叠的氮化铝层和单质铝层；所述氮等离子体辐照处理的温度不低于1300℃。 数据由马 克 数 据整理