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一种区域选择性沉积的方法

申请号: CN202210813498.8
申请人: 南方科技大学
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种区域选择性沉积的方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202210813498.8
申请日 2022/7/11
公告号 CN115386854B
公开日 2024/1/16
IPC主分类号 C23C16/04
权利人 南方科技大学
发明人 于严淏; 李春
地址 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

摘要文本

一种区域选择性沉积的方法,包括:有机功能分子修饰步骤,包括使用有机功能分子对金属互联半导体基底的金属表面和半导体表面进行分步化学修饰,获得的金属互联半导体基底具有亲油改性的金属表面以及疏油改性的半导体表面;涂覆步骤,包括使用化合物在亲油改性的金属表面形成阻隔层;沉积步骤,包括将涂覆后的基底置于沉积设备腔室内,使用前驱体进行沉积,获得沉积后的基底。该方法具备简洁性、普适性等优势,无需光刻蚀刻进行微观图案化,对介电氧化物的延迟成核效果明显高于目前主流的自组装单分子层技术,使选区原子层沉积选择率显著提升,有效解决了芯片制造工业中金属互联半导体材料选区原子层沉积选择率低的问题。

专利主权项内容

1.一种区域选择性沉积的方法,其特征在于,包括:有机功能分子修饰步骤,包括使用有机功能分子对金属互联半导体基底的金属表面和半导体表面进行分步化学修饰,获得的金属互联半导体基底具有亲油改性的金属表面以及疏油改性的半导体表面;涂覆步骤,包括使用油凝胶在亲油改性的金属表面形成阻隔层;沉积步骤,包括将涂覆后的基底置于沉积设备腔室内,使用前驱体进行化学气相沉积,或者使用物理气相沉积,获得沉积后的基底;有机功能分子修饰步骤中,包括依次使用第一类有机功能分子、第二类有机功能分子修饰所述金属互联半导体基底的表面,所述第一类有机功能分子结合至所述基底的金属表面,获得亲油改性的金属表面,所述第二类有机功能分子结合至所述基底的半导体表面,获得疏油改性的半导体表面;所述第一类有机功能分子包括头部是硫醇类或有机磷酸类、尾部是长链亲油基团的有机功能分子;所述第二类有机功能分子包括头部是硅烷类、尾部是长链疏油基团的有机功能分子;所述前驱体包括水、亲水性反应物;所述油凝胶包括高分子聚合物、液态油以及溶剂;所述高分子聚合物包括塑料类高分子聚合物、橡胶类高分子聚合物中的至少一种;所述液态油包括正十二烷、正十六烷、轻质石蜡油、重质石蜡油、白油、真空泵油中的至少一种。