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一种氧化锆陶瓷材料及其制备方法、电子设备
申请人信息
- 申请人:比亚迪股份有限公司
- 申请人地址:518118 广东省深圳市坪山区比亚迪路3009号
- 发明人: 比亚迪股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氧化锆陶瓷材料及其制备方法、电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210899248.0 |
| 申请日 | 2022/7/28 |
| 公告号 | CN117510201A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | C04B35/48 |
| 权利人 | 比亚迪股份有限公司 |
| 发明人 | 林信平; 李和祯; 杨清平; 江品颐 |
| 地址 | 广东省深圳市坪山区比亚迪路3009号 |
摘要文本
本申请提供了一种氧化锆陶瓷材料及其制备方法、以及含有该陶瓷材料的电子设备，所述陶瓷材料成分包含1mol％～4.8mol％的氧化铌，95.2mol％～99mol％的相稳定氧化锆陶瓷；所述陶瓷材料具有基质层、至少一层与基质层相邻的强化层；所述基质层为相稳定氧化锆陶瓷，所述基质层包括单斜相氧化锆、四方相氧化锆，所述基质层中单斜相含量占基质层陶瓷的重量百分含量为0.1～8％；所述强化层包括氧化铌、单斜相氧化锆、四方相氧化锆，所述强化层中的单斜相含量大于基质层中的单斜相含量，所述强化层中单斜相含量占强化层陶瓷材料的重量百分含量为5～80％，所述强化层的厚度为0.5～25μm。所述氧化锆陶瓷材料相对于现有技术的氧化锆陶瓷材料强度较高，能满足移动智能设备的后盖对于材料的强度要求。
专利主权项内容
1.一种氧化锆陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料成分包含1mol％～4.8mol％的氧化铌，95.2mol％～99mol％的相稳定氧化锆陶瓷；所述陶瓷材料具有基质层、至少一层与基质层相邻的强化层；所述基质层为相稳定氧化锆陶瓷，所述基质层包括单斜相氧化锆、四方相氧化锆，所述基质层中单斜相含量占基质层陶瓷的重量百分含量为0.1～8％；所述强化层包括氧化铌、单斜相氧化锆、四方相氧化锆，所述强化层中的单斜相含量大于基质层中的单斜相含量，所述强化层中单斜相含量占强化层陶瓷材料的重量百分含量为5～80％，所述强化层的厚度为0.5～25μm。