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MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备
申请人信息
- 申请人:荣耀终端有限公司
- 申请人地址:518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401
- 发明人: 荣耀终端有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202211008429.6 |
| 申请日 | 2022/8/22 |
| 公告号 | CN117672977A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L23/13 |
| 权利人 | 荣耀终端有限公司 |
| 发明人 | 王全龙; 黄松 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401 |
摘要文本
本申请提供的MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备，MOSFET封装结构通过将MOSFET芯片的第一表面贴装在载体芯片的安装区域内，MOSFET芯片与载体芯片之间的互连距离短，寄生电感小，易于实现高频率驱动。并且，通过在MOSFET芯片的第二表面贴装导电件形成MOSFET组件，MOSFET芯片上的输入垫、输出垫及接地垫为大电流通过区域，通过设置三个导电件分别与输入垫、输出垫及接地垫电连接，MOSFET芯片的大电流通过区域通过导电件与电路板互连，导电件不仅具有高载流能力，而且，还可以减小互连的电阻，减少MOSFET芯片的产热，且导电件的导热能力强，能够提升MOSFET芯片的散热性能。另外，MOSFET组件直接贴装于载体芯片组成MOSFET封装结构，封装体积小，有利于MOSFET封装结构的小型化。
专利主权项内容
1.一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括载体芯片、MOSFET芯片和三个导电件；所述载体芯片的一侧表面为安装面，所述安装面分布有多个第一焊盘，所述安装面具有安装区域，所述安装区域内设有多个所述第一焊盘，所述MOSFET芯片具有相背的第一表面和第二表面，所述第一表面贴装于所述安装区域内并与所述安装区域内的第一焊盘连接，三个所述导电件均贴装于所述第二表面且间隔设置；其中，所述MOSFET芯片包括输入垫、输出垫和接地垫，三个所述导电件分别与所述输入垫、所述输出垫及所述接地垫电连接。