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氮化物基半导体器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址:519085 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 发明人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 氮化物基半导体器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202280004733.5 |
| 申请日 | 2022/7/20 |
| 公告号 | CN115812253B |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 发明人 | 刘阳; 杜卫星; 游政昇; 张铭宏 |
| 地址 | 广东省珠海市高新区金园二路39号 |
摘要文本
一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。
专利主权项内容
1.一种氮化物基半导体器件，其特征在于，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上，所述第二氮化物基半导体层的带隙大于所述第一氮化物基半导体层的带隙；掺杂氮化物基半导体层，其设置在所述第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度；氮化物基绝缘层，其设置在所述掺杂氮化物基半导体层上并具有小于所述第一宽度的第二宽度；栅电极，设置在所述氮化物基绝缘层上方并具有大于第二宽度的第三宽度；以及钝化层，其设置在所述第二氮化物基半导体层上方，并包括位于所述掺杂的氮化物基半导体和所述栅电极之间的部分，且所述部分抵靠所述氮化物基绝缘层。