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一种集成续流二极管的氮化镓功率器件以及封装方法
申请人信息
- 申请人:南京芯干线科技有限公司
- 申请人地址:215100 江苏省南京市江宁区菲尼克斯路70号总部基地34栋1403室(江宁开发区)
- 发明人: 南京芯干线科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种集成续流二极管的氮化镓功率器件以及封装方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202210816516.8 |
| 申请日 | 2022/7/12 |
| 公告号 | CN115050656B |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/50 |
| 权利人 | 南京芯干线科技有限公司 |
| 发明人 | 傅玥; 周叶凡; 孔令涛 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁区菲尼克斯路70号总部基地34栋1403室(江宁开发区) |
摘要文本
本发明公开了一种集成续流二极管的氮化镓功率器件以及封装方法包括：基板层；集成器件，位于所述基板层上层；所述集成器件包括：氮化镓芯片，采用倒封装将所述氮化镓芯片上部通过所述基板与所述基板形成电气连接；续流二极管，所述续流二极管阳极通过所述基板与所述氮化镓芯片漏极。本发明采用基板将氮化镓芯片和续流二极管连接，避免因氮化镓芯片与续流二极管导线连接较长而产生寄生参数，影响器件的性能，提高了元器件的稳定性，还采用DBC板作为上层板，可以更好的进行热传导，更好的进行散热，这种设计还节省了空间，便于后续元器件的制备。
专利主权项内容
1.一种集成续流二极管的氮化镓功率器件的封装方法，其特征在于，包括：提供一PCB板，在所述PCB板的焊接区域与阻焊区域进行处理；将续流二极管阳极和氮化镓芯片漏极通过焊球固定于所述PCB板的焊接区域上表面，实现电气连接，组合为集成器件；在所述续流二极管阴极和所述氮化镓芯片衬底上层贴装DBC基板；将第一金属柱一端与所述氮化镓芯片的源极焊接在一起，所述第一金属柱另一端焊接在所述DBC基板的下层第一覆铜板的下表面；将第二金属柱一端与所述集成器件的阴极引出端焊接在一起，所述第二金属柱另一端焊接在所述DBC基板的下层第二覆铜板的下表面；所述DBC基板的下层覆铜板通过所述第一金属柱和所述第二金属柱分别与所述氮化镓芯片的源极和所述集成器件的阴极引出端形成电气连接。