抗电磁干扰的带隙基准电路和电池管理芯片
申请人信息
- 申请人:大唐恩智浦半导体有限公司
- 申请人地址:226400 江苏省南通市如东经济开发区井冈山路99号
- 发明人: 大唐恩智浦半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 抗电磁干扰的带隙基准电路和电池管理芯片 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202210908950.9 |
| 申请日 | 2022/7/29 |
| 公告号 | CN115268556B |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | G05F1/567 |
| 权利人 | 大唐恩智浦半导体有限公司 |
| 发明人 | 程坤; 钱焯文 |
| 地址 | 江苏省南通市如东经济开发区井冈山路99号 |
摘要文本
本发明提供了一种抗电磁干扰的带隙基准电路和用于电池管理系统的电池管理芯片。该带隙基准电路包括电压产生电路和阻抗补偿模块，电压产生电路包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；运算放大器包括模拟地连接端、第一输入端和第二输入端，模拟地连接端与模拟地端电连接，运算放大器的第一输入端通过阻抗补偿模块与第二电阻的第二端电连接，运算放大器的第二输入端通过阻抗补偿模块与第一晶体管的发射级电连接，阻抗补偿模块用于补偿第一晶体管的第一交流阻抗和第二晶体管的第二交流阻抗之间的差异，其中，电磁干扰通过模拟地端耦合至运算放大器的第一输入端和第二输入端，并进入电压产生电路。
专利主权项内容
1.一种抗电磁干扰的带隙基准电路，其特征在于，包括：电压产生电路和阻抗补偿模块，其中，所述电压产生电路包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一晶体管的基极和集电极与参考地端电连接，所述第一晶体管的发射级与第一电阻的第一端电连接，所述第二晶体管的基极和集电极与所述参考地端电连接，所述第二晶体管的发射级与第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端和所述第三电阻的第二端同时与基准电压输出端电连接；所述运算放大器包括模拟地连接端、第一输入端和第二输入端，所述模拟地连接端与模拟地端电连接，所述运算放大器的第一输入端通过所述阻抗补偿模块与所述第二电阻的第二端电连接，所述运算放大器的第二输入端通过所述阻抗补偿模块与所述第一晶体管的发射级电连接，所述阻抗补偿模块用于补偿所述第一晶体管的第一交流阻抗和所述第二晶体管的第二交流阻抗之间的差异，其中，电磁干扰通过所述模拟地端耦合至所述运算放大器的第一输入端和第二输入端，并进入所述电压产生电路；其中，所述阻抗补偿模块包括第一阻抗补偿模块和第二阻抗补偿模块，所述运算放大器的第一输入端通过所述第一阻抗补偿模块与所述第一晶体管的发射级电连接，所述运算放大器的第二输入端通过所述第二阻抗补偿模块与所述第二电阻的第二端电连接，所述第一阻抗补偿模块包括第一RC网络，所述第一RC网络包括多个第一RC元件，所述第一RC元件包括电阻和电容；所述第二阻抗补偿模块包括第二RC网络，所述第二RC网络包括多个第二RC元件，所述第二RC元件包括电阻和电容。。百度搜索马 克 数 据 网