阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型及其建模方法
申请人信息
- 申请人:无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 发明人: 无锡华润上华科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型及其建模方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210927589.4 |
| 申请日 | 2022/8/3 |
| 公告号 | CN117556761A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | G06F30/367 |
| 权利人 | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 发明人 | 沈丽君; 刘新新; 韩晓婷; 李新红; 张心凤; 杨洋 |
| 地址 | 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |
摘要文本
本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管QN1的发射极连接所述NMOS管M1的漏极，所述NPN三极管QN1的集电极连接所述SA‑LIGBT的集电极；PNP三极管QP1，所述PNP三极管QP1的发射极连接所述SA‑LIGBT的集电极和所述NPN三极管QN1的基极，所述PNP三极管QP1的集电极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述PNP三极管QP1的基极连接所述NPN三极管QN1的发射极；受控电流源G2，一端连接所述NPN三极管QN1的发射极，另一端连接所述NMOS管M1的源极，所述受控电流源G2产生的电流受控于所述NMOS管M1的电流。本发明能够很好地拟合器件的静态特性和开关特性。
专利主权项内容
1.一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，其特征在于，适用于阳极具有NPN三极管的SA-LIGBT，所述SA-LIGBT包括第一导电类型的基区，位于所述基区中的第二导电类型的体区，位于所述体区中的第一导电类型掺杂区，以及位于所述体区中的第二导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区引出作为所述SA-LIGBT的集电极；所述模型包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA-LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA-LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管QN1的发射极连接所述NMOS管M1的漏极，所述NPN三极管QN1的集电极连接所述SA-LIGBT的集电极；PNP三极管QP1，所述PNP三极管QP1的发射极连接所述SA-LIGBT的集电极和所述NPN三极管QN1的基极，所述PNP三极管QP1的集电极连接所述SA-LIGBT的发射极，所述PNP三极管QP1的基极连接所述NPN三极管QN1的发射极；受控电流源G2，一端连接所述NPN三极管QN1的发射极，另一端连接所述NMOS管M1的源极，所述受控电流源G2产生的电流受控于所述NMOS管M1的电流。