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静电防护器件及静电防护电路

申请号: CN202211040573.8
申请人: 无锡华润上华科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 静电防护器件及静电防护电路
专利类型 发明申请
申请号 CN202211040573.8
申请日 2022/8/29
公告号 CN117673074A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 H01L27/02
权利人 无锡华润上华科技有限公司
发明人 梁旦业; 孙俊; 张清清; 袁玫; 罗文汇
地址 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

摘要文本

本申请涉及一种静电防护器件及静电防护电路。该静电防护器件包括:衬底;隔离环,设于所述衬底内;所述隔离环内设有隔离环引出区,所述隔离环引出区内设有隔离环重掺杂区;晶体管区,设于所述隔离环的内侧的所述衬底内,且与所述隔离环间隔设置;第一阱区,设于所述隔离环和所述晶体管区之间的所述衬底内,且与所述隔离环和所述晶体管区均间隔设置;所述第一阱区内设有第一重掺杂区。本申请能够提高静电防护器件的维持电流,提高闩锁防护性能。。该数据由<专利查询网>整理

专利主权项内容

(更多数据,详见马克数据网) 。1.一种静电防护器件,其特征在于,包括:衬底,具有第一导电类型;隔离环,设于所述衬底内;所述隔离环内设有隔离环引出区,所述隔离环引出区内设有隔离环重掺杂区;晶体管区,设于所述隔离环的内侧的所述衬底内,且与所述隔离环间隔设置;第一阱区,设于所述隔离环和所述晶体管区之间的所述衬底内,且与所述隔离环和所述晶体管区均间隔设置;所述第一阱区内设有第一重掺杂区;其中,所述第一阱区和所述隔离环重掺杂区均具有第一导电类型;所述隔离环、所述隔离环引出区和所述第一重掺杂区均具有第二导电类型;所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。