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半导体器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 发明人: 无锡华润上华科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210757089.0 |
| 申请日 | 2022/6/30 |
| 公告号 | CN117374072A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L27/088 |
| 权利人 | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 发明人 | 刘腾; 何乃龙; 顾力晖; 张森; 章文通 |
| 地址 | 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |
摘要文本
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区和位于高压器件区与低压器件区之间的隔离区，还包括漂移区、第二导电类型阱区、隔离阱区、隔离结构、功率器件源区以及功率器件漏区。漂移区设于高压器件区，第二导电类型阱区设于隔离区并延伸至低压器件区，隔离阱区设于漂移区中，隔离阱区将漂移区分隔为高压漂移区和功率器件漂移区。隔离结构设于隔离阱区中。功率器件源区设于隔离区并位于第二导电类型阱区中，功率器件漏区设于功率器件漂移区中。利用该半导体器件，既能减小由高压器件区通过漂移区流向功率器件的漏电流，又不会影响半导体器件的耐压。
专利主权项内容
1.一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区和位于高压器件区与低压器件区之间的隔离区，其特征在于，还包括：漂移区，设于所述高压器件区，且具有第一导电类型；第二导电类型阱区，设于所述隔离区并延伸至所述低压器件区，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；隔离阱区，具有所述第二导电类型，设于所述漂移区中，将所述漂移区分隔为高压漂移区和功率器件漂移区；隔离结构，设于所述隔离阱区中，包括导电结构及包围所述导电结构的底面与侧面的介电层；功率器件源区，设于所述隔离区并位于所述第二导电类型阱区中，具有所述第一导电类型；以及功率器件漏区，设于所述功率器件漂移区中，具有所述第一导电类型。 关注微信公众号马克数据网