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一种发光二极管
申请人信息
- 申请人:淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 申请人地址:223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号
- 发明人: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种发光二极管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311390860.6 |
| 申请日 | 2022/2/17 |
| 公告号 | CN117410409A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 发明人 | 朱涛; 程志青; 芦玲 |
| 地址 | 江苏省淮安市清河新区景秀路6号 |
摘要文本
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层；第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种；第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层，能提高应力释放层的禁带宽度，提高势垒，极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率；高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时，电流分布更加均匀；且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果，降低非辐射复合概率，提高光效。
专利主权项内容
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及在所述衬底表面依次层叠设置的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；其中，所述应力释放层包括第一子层和第二子层；所述第一子层为周期性结构；所述第二子层为单层结构，且所述第二子层为AlGaN层。