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外延结构层及其制备方法和LED芯片
申请人信息
- 申请人:淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 申请人地址:223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号
- 发明人: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 外延结构层及其制备方法和LED芯片 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202210774776.3 |
| 申请日 | 2022/7/1 |
| 公告号 | CN115000260B |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 发明人 | 郭园; 王淑娇; 黄理承; 宋长伟; 吕腾飞; 芦玲 |
| 地址 | 江苏省淮安市清河新区景秀路6号 |
摘要文本
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延结构层及其制备方法和LED芯片。外延结构层，包括依次设置于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层靠近衬底；第一缓冲层掺杂有第一碳杂质和第一氢杂质；第二缓冲层掺杂有第二碳杂质和第二氢杂质；第一碳杂质的掺杂浓度大于第一氢杂质的掺杂浓度；第二碳杂质的掺杂浓度小于第一碳杂质的掺杂浓度，第二氢杂质的掺杂浓度小于第一氢杂质的掺杂浓度。本发明的外延结构层可防止Ga空位向有源层扩散，改善晶体质量，提高发光效率。
专利主权项内容
1.外延结构层，其特征在于，包括依次设置于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层靠近所述衬底；所述第一缓冲层掺杂有第一碳杂质和第一氢杂质；所述第二缓冲层掺杂有第二碳杂质和第二氢杂质；所述第一碳杂质的掺杂浓度大于所述第一氢杂质的掺杂浓度；所述第二碳杂质的掺杂浓度小于所述第一碳杂质的掺杂浓度，所述第二氢杂质的掺杂浓度小于所述第一氢杂质的掺杂浓度；所述第二氢杂质的掺杂浓度为2E17~2E18atom/m；3所述第一碳杂质的掺杂浓度为2E18~2E19atom/m；3所述第一氢杂质的掺杂浓度为1E18~1E19atom/m；3所述第二碳杂质的掺杂浓度为5E17~5E18atom/m；3所述第一缓冲层的厚度为3~30nm；所述第二缓冲层的厚度为1~4μm；所述第一缓冲层的基质为AlGaN，其中，0<x≤1；x1-x所述第二缓冲层的基质为AlGaN，其中，0≤y<1；y1-y所述衬底为蓝宝石基图形化衬底，所述蓝宝石基图形化衬底上的图形的高度H小于或等于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的厚度之和。