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一种磁传感器、电流检测装置及电流检测方法
申请人信息
- 申请人:苏州纳芯微电子股份有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501
- 发明人: 苏州纳芯微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种磁传感器、电流检测装置及电流检测方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210944918.6 |
| 申请日 | 2022/8/8 |
| 公告号 | CN117572303A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | G01R33/02 |
| 权利人 | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 袁辅德; 赵佳 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501 |
摘要文本
专利查询网 。本发明公开一种磁传感器、电流检测装置及电流检测方法。该磁传感器包括至少两个感测部，感测部在第一信号磁场的磁场分量的方向不同；其中，第一信号磁场由流经导体的待测电流产生；至少两个感测部对应电连接，感测部包括半桥结构或全桥结构；感测部通过半桥结构或全桥结构对第一信号磁场发生电阻变化，生成感测电信号；磁传感器的各感测部对第二磁场的感测电信号之和为零，第二磁场包括导体外部的均匀磁场。本发明实施例提供的技术方案较好地的排除了导体之外的均匀磁场的干扰，改善了对流经导体的待测电流的检测精度。
专利主权项内容
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：至少两个感测部，所述感测部在第一信号磁场的磁场分量的方向不同；其中，所述第一信号磁场由流经导体的待测电流产生；至少两个所述感测部对应电连接，所述感测部包括半桥结构或全桥结构；所述感测部通过所述半桥结构或所述全桥结构对所述第一信号磁场发生电阻变化，生成感测电信号；所述磁传感器的各感测部对第二磁场的感测电信号之和为零，所述第二磁场包括所述导体外部的均匀磁场。