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半导体外延结构的刻蚀方法、二次外延方法及应用
申请人信息
- 申请人:江苏第三代半导体研究院有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
- 发明人: 江苏第三代半导体研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体外延结构的刻蚀方法、二次外延方法及应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202210823104.7 |
| 申请日 | 2022/7/12 |
| 公告号 | CN117438284A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 发明人 | 闫其昂; 王国斌 |
| 地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室 |
摘要文本
本发明公开了一种半导体外延结构的刻蚀方法、二次外延方法及应用。所述刻蚀方法包括：提供半导体外延片，表层为缺陷外延层；以含氧前驱体对所述缺陷外延层进行处理，使所述缺陷结构侧面覆盖形成氧结构；以刻蚀性气体将所述氧结构侧向刻蚀去除；循环重复一个以上周期，直至将所述缺陷外延层刻蚀去除。本发明提供的刻蚀方法利用含氧前驱体在缺陷处形成氧结构覆盖，使得刻蚀处理的难度得以降低；二次外延方法极大缩短外延片二次生长利用的周期，提高外延片重复利用效率；解决了常规工艺难以对整个外延层表面进行刻蚀的问题，极大地降低了生产成本，提高了企业产品的价格竞争力。
专利主权项内容
（来源 马克数据网） 1.一种半导体外延结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：1)提供半导体外延片，所述半导体外延片的表层为缺陷外延层，所述缺陷外延层的表面具有缺陷结构；2)在保护性气氛中及第一温度条件下，以含氧前驱体对所述缺陷外延层进行处理，以使所述缺陷结构侧面覆盖形成氧结构；3)在第二温度条件下，以刻蚀性气体将所述氧结构侧向刻蚀去除；4)循环重复步骤2)-步骤3)一个以上周期，直至将所述缺陷外延层刻蚀去除。