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一种通过整平阴极辊面抑制铜箔柱状晶生长的方法
申请人信息
- 申请人:九江德福科技股份有限公司
- 申请人地址:332000 江西省九江市开发区汽车工业园顺意路15号
- 发明人: 九江德福科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种通过整平阴极辊面抑制铜箔柱状晶生长的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202210832661.5 |
| 申请日 | 2022/7/15 |
| 公告号 | CN115216814B |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | C25D1/04 |
| 权利人 | 九江德福科技股份有限公司 |
| 发明人 | 李红琴; 杨红光; 金荣涛 |
| 地址 | 江西省九江市开发区汽车工业园顺意路15号 |
摘要文本
本发明公开了一种通过整平阴极辊面抑制铜箔柱状晶生长的方法，属于电子电路铜箔技术领域，以解决电子电路铜箔生产工艺中缺乏对阴极辊面凹凸点点位置形成晶粒的抑制和调控方法，进而影响成品物理性能的问题。方法包括电解液制备；电解制备生箔；生箔表面处理；收卷、分切为成品箔。本发明在铜箔整平的基础上，还能对阴极辊面上晶粒的形核、生长产生正向的影响，从微观上抑制晶粒在垂直方向的生长，避免了柱状晶的形成，从而大大提升了铜箔材料的力学性能。
专利主权项内容
1.一种通过整平阴极辊面抑制铜箔柱状晶生长的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1、电解液制备；将金属铜单质加入含有硫酸的溶铜罐中，鼓入高温空气，将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热后打入电解槽；电解液中铜离子浓度为65-100g/L；硫酸含量为80-140g/L；所述添加剂由A剂、B剂、氯离子组成；其中A剂为L-精氨酸，A剂的含量为10-30ppm；B剂为葡聚糖；B剂的含量为10-30ppm；所述氯离子浓度为20-40mg/L；电解槽中的阴极为无缝滚筒式钛辊，电解槽阳极为尺寸稳定的钌铱钛阳极板；S2、电解制备生箔；S3、生箔表面处理；S4、收卷、分切为成品箔。