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发光二极管

申请号: CN202323662884.0
申请人: 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
更新日期: 2026-05-18

摘要文本

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型实施例公开了一种发光二极管,该发光二极管包括衬底、外延层、第一电极、第二电极、第一介质层、第三电极和第四电极。外延层从下到上依次堆叠第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层,第一电极通过通孔与第一半导体层电连接,第二电极与第二半导体层电连接,第一电极和第二电极阵列设置。第三电极沿第一方向设置并覆盖一行第一电极,第四电极沿第一方向设置并覆盖一行第二电极。本实用新型实施例的第三电极和第四电极沿第二方向的最小尺寸相同,保证第三电极和第四电极在尺寸最小处的电流拥堵情况相同,进而保证发光二极管具有较高的可靠性。。

专利主权项内容

1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:
衬底;
外延层,位于所述衬底上,所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型不同,所述外延层中具有多个贯穿所述第二半导体层和所述有源层并暴露出所述第一半导体层的通孔,所述通孔阵列排布;
多个第一电极,分别位于所述通孔暴露出的所述第一半导体层的表面;
多个第二电极,阵列排布在所述第二半导体层上;
第一介质层,覆盖所述外延层、所述第一电极和所述第二电极,所述第一介质层具有多个暴露出所述第一电极的第一开口和多个暴露出所述第二电极的第二开口;
多个第三电极,位于所述第一介质层上并覆盖所述第一开口,一个所述第三电极覆盖一行沿第一方向设置的所述第一开口;以及
多个第四电极,位于所述第一介质层上并覆盖所述第二开口,一个所述第四电极覆盖一行沿第一方向设置的所述第二开口;
其中,所述第三电极和所述第四电极沿第二方向的最小尺寸相同。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 发光二极管
专利类型 实用新型
申请号 CN202323662884.0
申请日 2023/12/29
公告号 CN222233663U
公开日 2024/12/24
IPC主分类号 H01L33/36
权利人 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
发明人 王思琦; 李士涛; 边福强
地址 福建省厦门市海沧区兰英路99号