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一种双管正激次级续流二极管尖峰抑制电路

申请号: CN202420980062.2
申请人: 成都特隆美储能技术有限公司
更新日期: 2026-05-18

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种双管正激次级续流二极管尖峰抑制电路
专利类型 实用新型
申请号 CN202420980062.2
申请日 2024/5/8
公告号 CN222234682U
公开日 2024/12/24
IPC主分类号 H02M1/32
权利人 成都特隆美储能技术有限公司
发明人 梁全芳; 谢茂军; 阎铁生
地址 四川省成都市新都工业区桂锦路

摘要文本

成都特隆美储能技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开一种双管正激次级续流二极管尖峰抑制电路,针对双管正激变换器中次级续流二极管的反向恢复问题,现有技术采用有源箝位电路,但需增加一个辅助开关和相应的控制电路,既增加了成本,又降低了可靠性;本实用新型通过在变压器原边串联电感后,改变了回路电流斜率,从而降低了次级续流二极管的尖峰电压。

专利主权项内容

1.一种双管正激次级续流二极管尖峰抑制电路,其特征在于,包括:第一MOS管VT1、第二MOS管VT2、初级箝位电路、第一变压器T1、第二变压器T2、整流电路、续流电路、等效恒流源电路;所述初级箝位电路包括电感L3、第三二极管VD3、第六二极管VD6;
第一MOS管VT1的栅极接驱动电压VGS3,第一MOS管VT1的源极与电感L3第一端连接,电感L3第二端与第三二极管VD3的正极连接,第三二极管VD3的负极与第一MOS管VT1的漏极连接,第三二极管VD3的正极还与第六二极管VD6的负极连接,第六二极管VD6的正极接功率地PGND;所述第一MOS管VT1的漏极还接总线电源VBUS;所述第一MOS管VT1的源极与第五二极管VD5的负极连接,第五二极管VD5的正极接功率地PGND;所述第一MOS管VT1的源极还接负电压源VSS3;
所述电感L3第二端与第一变压器T1原边绕组第一端连接,第一变压器T1原边绕组第二端与第二变压器T2次级绕组第一端连接;第二变压器T2原边第一端接采样电压VCS2;第二变压器T2原边第二端接功率地PGND;
第二变压器T2原边绕组第二端与第二MOS管VT2的漏极连接,第二MOS管VT2的栅极接驱动电压VGS2,第二MOS管VT2的源极接功率地PGND;第二MOS管VT2的栅极接驱动电压VGS4;第二MOS管VT2的源极还接负电压源VSS2;
第一变压器T1次级第一端接整流电路输入端,第一变压器T1次级第二端接续流电路输入端,所述整流电路与续流电路各自的输出端与等效恒流源电路第一端连接;等效恒流源电路第二端与续流电路输入端连接。