← 返回列表

一种基于PHEMT工艺的提高输入低电平的反相器电路

申请号: CN202323384834.0
申请人: 上海麓慧科技有限公司
更新日期: 2026-05-18

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于PHEMT工艺的提高输入低电平的反相器电路
专利类型 实用新型
申请号 CN202323384834.0
申请日 2023/12/12
公告号 CN222234839U
公开日 2024/12/24
IPC主分类号 H03K19/094
权利人 上海麓慧科技有限公司
发明人 尹银伟; 梁瑜; 丁苗富
地址 上海市松江区新桥镇新格路901号4号楼

摘要文本

上海麓慧科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种基于PHEMT工艺的提高输入低电平的反相器电路,其包括上拉单元与下拉单元,所述上拉单元包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管与第二电阻;下拉单元包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第一电阻、第三电阻;第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极接电源端,栅极与源极之间接入第二电阻,第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极相接作为反相器电路的输出端;第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极通过第一电阻连接至输入端,通过第三电阻与源极连接并接地。本方案能够有效降低电流,提高输入低电平范围,从而能够降低功耗,增强整个电路的抗噪音与干扰能力,可满足实际应用中对于PHEMT集成电路的设计需求。

专利主权项内容

1.基于PHEMT工艺的提高输入低电平的反相器电路,其特征在于,包括上拉单元与下拉单元,所述上拉单元包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)与第二电阻(R2);所述下拉单元包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)与第一电阻(R1)、第三电阻(R3);
所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)的漏极(D)接电源端(Vdd),栅极(G)与源极(S)之间接入第二电阻(R2),所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)的栅极(G)与第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)的漏极(D)相接作为反相器电路的输出端(Vout);
第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)的栅极(G)通过第一电阻(R1)连接至输入端(Vin),通过第三电阻(R3)与源极(S)连接并接地。。详见官网: