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一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及方法

申请号: CN202210877479.1
申请人: 哈尔滨工业大学
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202210877479.1
申请日 2022/7/25
公告号 CN115161589B
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 C23C14/02
权利人 哈尔滨工业大学
发明人 田修波; 张鑫; 巩春志
地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

摘要文本

哈尔滨工业大学获取“一种透气窗帘布”专利技术,一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及方法,本发明涉及一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及方法。本发明目的是解决管内表面处理效率低以及涂层与基体之间界面结合强度较低、耐磨性较差的问题,装置包括金属阴极弧源、挡板、第一辅助阳极、管筒件、阳极杆、第二辅助阳极、Ar进气管、N2‑H2混合气进气管、热电偶、第一绝缘屏蔽罩、第二绝缘屏蔽罩、真空室、金属阴极弧直流电源、第一辅助阳极直流电源、脉冲偏压电源和第二辅助阳极直流电源;本发明连续进行管内表面渗氮和PVD涂层沉积过程,有效提高管内表面处理效率,并提高涂层与基体间结合强度和耐磨性。本发明应用于管筒件内壁渗氮后原位沉积PVD涂层领域。

专利主权项内容

1.一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置,其特征在于,该装置包括金属阴极弧源(1)、挡板(2)、第一辅助阳极(3)、管筒件(4)、阳极杆(5)、第二辅助阳极(6)、Ar进气管(8)、N-H混合气进气管(9)、热电偶(10)、第一绝缘屏蔽罩(11)、第二绝缘屏蔽罩(12)、真空室(13)、金属阴极弧直流电源(14)、第一辅助阳极直流电源(15)、脉冲偏压电源(16)和第二辅助阳极直流电源(17);22真空室(13)内设置第一绝缘屏蔽罩(11)和第二绝缘屏蔽罩(12),第一绝缘屏蔽罩(11)与真空室(13)侧壁合围而成第一腔室,第二绝缘屏蔽罩(12)与真空室(13)另一侧壁合围而成第二腔室,第一腔室和第二腔室通过管筒件(4)连通,第一腔室内设有金属阴极弧源(1)和Ar进气管(8),金属阴极弧源(1)前方设置挡板(2),管筒件(4)一端口和挡板(2)之间设有第一辅助阳极(3),N-H混合气进气管(9)的进气口延伸到第一腔室内,且位于管筒件(4)端口与第一辅助阳极(3)之间,阳极杆(5)贯穿于管筒件(4)设置,第二腔室内设有第二辅助阳极(6),且第二辅助阳极(6)位于管筒件(4)正后方;真空室(13)内设置热电偶(10),监测管筒件(4)温度;22金属阴极弧直流电源(14)的阴极与金属阴极弧源(1)电连接,金属阴极弧直流电源(14)的阳极接地;第一辅助阳极直流电源(15)的阳极与第一辅助阳极(3)电连接,第一辅助阳极直流电源(15)的阴极接地;第二辅助阳极直流电源(17)的阳极与第二辅助阳极(6)电连接,第二辅助阳极直流电源(17)的阴极接地;脉冲偏压电源(16)的阴极与管筒件(4)外壁电连接,脉冲偏压电源(16)的阳极与阳极杆(5)电连接。。来自马-克-数-据-官网