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一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器

申请号: CN202311461878.0
申请人: 上海馨欧集成微电有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器
专利类型 发明申请
申请号 CN202311461878.0
申请日 2023/11/3
公告号 CN117394819A
公开日 2024/1/12
IPC主分类号 H03H9/25
权利人 上海馨欧集成微电有限公司
发明人 吴进波
地址 上海市嘉定区城北路378号1601室

摘要文本

上海馨欧集成微电有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明涉及微电子器件领域,特别涉及一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器。该声表面波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、功能层和叉指换能器;所述功能层包括沿第一方向依次排布的第一介质区、压电区和第二介质区;通过将压电层和底电极设置于叉指换能器的孔径区,可以小于或者等于孔径区的宽度,孔径区为叉指换能器中两种相对设置的叉指电极存在交错的区域,声表面波谐振器的目标模式是由纵向电场激发的高阶声表面波模式;相邻第一叉指电极之间的距离与目标模式的频率的乘积小于支撑衬底的声速,从而能够避免纵向电场激发产生的寄生体声波,也有利于横向高阶模式的抑制。

专利主权项内容

1.一种声表面波谐振器,其特征在于,包括由下至上依次设置的支撑衬底、功能层和叉指换能器;所述叉指换能器包括第一汇流条、与所述第一汇流条连接的第一叉指电极、第二汇流条和与所述第二汇流条连接的第二叉指电极;所述第一叉指电极和所述第二叉指电极交错排布;所述功能层包括沿第一方向依次排布的第一介质区、压电区和第二介质区;所述第一方向为所述第一叉指电极或者所述第二叉指电极的长度方向;所述压电区包括层叠的底电极和压电层;所述底电极位于所述支撑衬底上;其中,所述压电区的宽度小于或者等于所述叉指换能器的孔径区的投影区的宽度;所述孔径区的投影区是所述孔径区投影在所述功能层的区域;所述孔径区为所述叉指换能器中所述第一叉指电极与所述第二叉指电极存在交错的区域;所述声表面波谐振器的目标模式是由纵向电场激发的高阶声表面波模式;相邻所述第一叉指电极之间的距离与所述目标模式的频率的乘积小于所述支撑衬底的声速。