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一种钽(IV)氧卤化合物晶体材料及其制备方法与应用
申请人信息
- 申请人:上海交通大学
- 申请人地址:200030 上海市徐汇区华山路1954号
- 发明人: 上海交通大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种钽(IV)氧卤化合物晶体材料及其制备方法与应用 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311811458.0 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117468090B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | C30B29/10 |
| 权利人 | 上海交通大学 |
| 发明人 | 黄富强; 孔舒仪 |
| 地址 | 上海市闵行区东川路800号 |
摘要文本
上海交通大学获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及无机材料技术领域，特别是涉及一种钽(IV)氧卤化合物晶体材料及其制备方法与应用，所述晶体材料的化学式为TaOCl2，是一种层状范德华材料，属于单斜晶系。由TaOCl2的单层沿面外方向堆叠而成，单层之间为范德华相互作用力。材料且存在面内各向异性，可发展为面内各向异性的光电探测材料。钽(IV)氧卤化合物晶体材料的制备方法包括：将钽源、氧元素源和六氯苯的原料，在真空环境中采用高温固相反应法于600～650℃保温超过24小时后降温冷却获得。该制备方法具有步骤简单、生长周期短、成功率高等特点，可以高效制备出完整性好、单晶数量多、尺寸大的钽基氧化二卤化合物晶体，满足研究和应用需求。
专利主权项内容
1.一种钽(IV)氧卤化合物晶体材料的制备方法，其特征在于，所述晶体材料的化学式为TaOCl，所述TaOCl是一种层状范德华材料，属于单斜晶系，所述晶体材料由多个TaOCl的单层沿面外方向堆叠而成，相邻的单层之间通过范德华力连接，所述TaOCl的单层包括两个卤素原子层与一个[TaO] 层，[TaO]层分割相邻卤素原子层；在一个TaOCl单层中，每个钽原子与周围临近的阴离子组成[TaOCl]八面体，[TaOCl]八面体通过共顶点或共棱连结形成各向异性的二维结构；所述TaOCl包括如下晶胞参数 a = 13.058 Å，b = 3.345Å，c =7.653 Å，α = γ = 90°，β = 107.07°，V=319.6Å；晶型空间群为C2/m；22222242423所述制备方法包括：将钽源、氧元素源和六氯苯的原料，在真空环境中采用高温固相反应法于600～650℃保温超过24小时后降温冷却。