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基于可调谐波长激光源诱发二次谐波的缺陷检测
申请人信息
- 申请人:上海微崇半导体设备有限公司
- 申请人地址:200433 上海市杨浦区国宾路18号1501C-1室
- 发明人: 上海微崇半导体设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于可调谐波长激光源诱发二次谐波的缺陷检测 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202310985909.6 |
| 申请日 | 2023/8/7 |
| 公告号 | CN117538341A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | G01N21/95 |
| 权利人 | 上海微崇半导体设备有限公司 |
| 发明人 | 赵威威; 黄崇基; 周朴希 |
| 地址 | 上海市杨浦区国宾路18号1501C-1室 |
摘要文本
本发明提出的基于可调谐波长激光源诱发二次谐波的缺陷检测方案，解决的问题是因不同禁带宽度的材料的检测需求不同而导致的检测范围的局限性问题及实现该方案的障碍。本发明，首先有适用范围的提升。双光源系统不仅能对材料的能带结构做精确测量，而且能够针对性调节激发光的波长，使得本发明适用的材料范围更大。其次，测量参数的增多。双光源结构，当激发光关闭后，依然能够使用探测光对电子的复合进行检测，能够观测到其复合的过程，从而可对载流子寿命以及扩散长度做分析。最后，通过确保探测光斑所探测到的区域的能量分布是均匀一致的，提升了测量的准确性。本发明提高了样品检测的全面性和准确性，对现有的二谐波检测系统具有重大的提升。
专利主权项内容
1.一种基于可调谐波长激光源诱发二次谐波的缺陷检测装置，其特征在于：所述装置的光源包括探测光源和激发光源；所述探测光源发出的是探测入射光；所述探测入射光的波长为探测入射波长；所述探测光源的探测入射光路中包括汇聚透镜，所述汇聚透镜用于调节所述探测入射光的光斑形貌；所述激发光源是可调谐波长激光源，发出的是激发入射光；所述激发入射光的波长为激发入射波长；所述激发入射光的光子能量等于或大于所述半导体材料的所述电子电离所需的能量，且不小于所述电子从所述半导体材料的价带到达所述绝缘材料的导带所需克服的最低能量的1/3；所述激发光源的激发入射光路中包括整形器，用于所述激发入射光的均匀化；所述激发光源形成的激发光斑应当能够覆盖所述探测光源发出的探测光斑；所述探测入射光和所述激发入射光的入射路径不重合；信号接收系统单独接收所述探测入射光激发出的探测二谐波信号。