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一种雪崩光电探测器及其制作方法
申请人信息
- 申请人:上海新微半导体有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
- 发明人: 上海新微半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种雪崩光电探测器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311710797.X |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN117712215A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L31/107 |
| 权利人 | 上海新微半导体有限公司 |
| 发明人 | 谢拾玉; 谢宗恒; 赵雅芝 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号 |
摘要文本
上海新微半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种雪崩光电探测器及其制作方法，该雪崩光电探测器包括衬底、外延结构、上电极层及微纳结构，其中，外延结构位于衬底上方，外延结构包括上电极接触层，上电极层位于上电极接触层上方，微纳结构位于衬底上方，微纳结构还位于上电极层中和/或上电极接触层中，微纳结构包括多个间隔排列的孔洞。该雪崩光电探测器通过设置位置灵活的微纳结构以实现对于入射光的增强吸收，兼具高带宽及高量子效率性能，此外，通过对微纳结构的具体结构进行调节能够将对入射光的吸收增强峰根据实际需要调整到光通讯系统所用的光信号波长范围，适用于各种波长比较固定的红外信号探测应用场景。该制作方法的制作工艺成熟，易于实现大规模生产。
专利主权项内容
1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上方，所述外延结构包括上电极接触层；上电极层，位于所述上电极接触层上方；微纳结构，位于所述衬底上方，所述微纳结构还位于所述上电极层中和/或所述上电极接触层中，所述微纳结构包括多个间隔排列的孔洞。