← 返回列表

一种光刻掩膜缺陷的识别方法、装置、设备及可读介质

申请号: CN202311221844.4
申请人: 上海朋熙半导体有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种光刻掩膜缺陷的识别方法、装置、设备及可读介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311221844.4
申请日 2023/9/20
公告号 CN117437177A
公开日 2024/1/23
IPC主分类号 G06T7/00
权利人 上海朋熙半导体有限公司
发明人 张强
地址 上海市浦东新区涵桥路619号金鼎天地C栋15-17楼

摘要文本

上海朋熙半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本申请提供了一种光刻掩膜缺陷的识别方法、装置、设备及可读介质。该方法包括:获取制造机台中当前晶圆的信息数据,根据所述信息数据确定当前晶圆的晶圆图像中第一缺陷坐标;基于光刻掩膜属性信息将所述晶圆图像进行网格切分,得到每个光刻掩膜网格以及生成每个光刻掩膜网格的位置编号,结合光刻掩膜网格进行所述第一缺陷坐标的映射,得到第二缺陷坐标;按照预设划分规则对每个光刻掩膜网格进行区域划分,得到计量区域;采用预设统计规则对落在每个计量区域内的第二缺陷坐标进行统计计算,得到统计结果,并根据统计结果确定所述光刻掩膜的识别结果。本技术方案,可以利用晶圆图像,光刻掩膜网格位置等信息,对光刻掩膜是否存在缺陷做出判断。 来源:专利查询网

专利主权项内容

1.一种光刻掩膜缺陷的识别方法,其特征在于,所述方法包括:获取制造机台中当前晶圆的信息数据,根据所述信息数据确定当前晶圆的晶圆图像中第一缺陷坐标;基于光刻掩膜属性信息将所述晶圆图像进行网格切分,得到每个光刻掩膜网格以及生成每个光刻掩膜网格的位置编号,结合所述光刻掩膜网格进行所述第一缺陷坐标的映射,得到第二缺陷坐标;按照预设划分规则对每个光刻掩膜网格进行区域划分,得到计量区域;采用预设统计规则对落在每个计量区域内的第二缺陷坐标进行统计计算,得到统计结果,并根据所述统计结果确定所述光刻掩膜的识别结果。 (来自 马克数据网)