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硅基光电探测器及其制备方法
申请人信息
- 申请人:上海铭锟半导体有限公司
- 申请人地址:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
- 发明人: 上海铭锟半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅基光电探测器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311813343.5 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117476800A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L31/105 |
| 权利人 | 上海铭锟半导体有限公司 |
| 发明人 | 杨荣; 王庆; 余明斌 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 |
摘要文本
上海铭锟半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外延层可以是硅、锗或硅锗合金的一种或者叠层，或根据需要掺入碳、锡、铅等杂质；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。本发明可以有效反射未被吸收层完全吸收的入射光加以回收利用，能够增加探测器的响应度和灵敏度；通过金属层连接固定电位来控制硅层悬浮区域的电位，减少了对探测器行为的干扰。。 （来源 专利查询网）
专利主权项内容
1.硅基光电探测器，其特征在于，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；所述第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；所述外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。