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一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质
申请人信息
- 申请人:魅杰光电科技(上海)有限公司
- 申请人地址:200131 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼
- 发明人: 魅杰光电科技(上海)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311628882.1 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117455897A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | G06T7/00 |
| 权利人 | 魅杰光电科技(上海)有限公司 |
| 发明人 | 曾浩宇; 张奇; 任鲁西 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼 |
摘要文本
魅杰光电科技(上海)有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质，应用于半导体制造技术领域，晶圆划痕检测方法包括：对输入的晶圆图片进行划痕缺陷检测，得到所述晶圆的晶粒分布图和有划痕缺陷的晶粒分布图；根据所述有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段；根据所述划痕晶粒的线段得到划痕缺陷的延伸线段；根据所述延伸线段与所述晶粒分布图确定新增的划痕晶粒。本发明无需大量的标注数据，只需在现有检测到的划痕数据上进一步处理，就可以对划痕两端的晶粒漏检问题有很大改善，显著降低了划痕两端晶粒附近的漏检率，提高划痕检测的准确率。
专利主权项内容
1.一种晶圆划痕检测方法，其特征在于，包括：对输入的晶圆图片进行划痕缺陷检测，得到所述晶圆的晶粒分布图和有划痕缺陷的晶粒分布图；根据所述有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段；根据所述划痕晶粒的线段得到划痕缺陷的延伸线段；根据所述延伸线段与所述晶粒分布图确定新增的划痕晶粒。 更多数据：