应用于高速高精度SAR ADC的开关电容阵列
申请人信息
- 申请人:灿芯半导体(上海)股份有限公司
- 申请人地址:200135 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼
- 发明人: 灿芯半导体(上海)股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 应用于高速高精度SAR ADC的开关电容阵列 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311452826.7 |
| 申请日 | 2023/11/3 |
| 公告号 | CN117353747A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H03M1/46 |
| 权利人 | 灿芯半导体(上海)股份有限公司 |
| 发明人 | 林志伦; 庄志青; 胡红明; 张希鹏; 周玉镇 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼 |
摘要文本
灿芯半导体(上海)股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了应用于高速高精度SAR ADC的开关电容阵列，属于SAR ADC的电容技术领域，其采用桥接结构来减小总电容面积，该开关电容阵列包括：采样电容Cx[n‑1]，Cx[n‑2]，Cx[n‑3]，Cx[n‑4]、非采样电容Cz[n‑5]，Cy[n‑i]，Cy[n‑i‑1]，Cy[n‑i‑2]，Cz[n‑i‑3]和冗余位电容Czr[n‑4]、Czr[n‑i‑2]。通过重点优化开关电容阵列中大电容部分的参考电平建立速度问题，并结合冗余电容缓解大电容快速建立时候的精度问题，使得总电容在面积上能够比传统方案明显减小，且能够允许更快的转换速度。
专利主权项内容
1.应用于高速高精度SARADC的开关电容阵列，其采用桥接结构来减小总电容面积，其特征在于，该开关电容阵列包括：采样电容C，C，C，C、非采样电容C，C，C，C，C和冗余位电容C、C；x[n-1]x[n-2]x[n-3]x[n-4]z[n-5]y[n-i]y[n-i-1]y[n-i-2]z[n-i-3]zr[n-4]zr[n-i-2]采样电容，包含DAC电容C，C、采样开关S，S、高精度参考开关S，S、快速转换开关S，S、本位DAC电容C/C对应的参考电压存储电容C、存储电容开关S，S、DAC电容顶板开关S，S；xn[n-1]xp[n-1]in[n-1]ip[n-1]vn[n-1]vp[n-1]cn[n-1]cp[n-1]xn[n-1]xp[n-1]r[n-1]rnrptptn冗余位电容，其包含DAC电容C，C、共模开关S，S、高精度参考开关S，S、DAC电容顶板开关S，Szn[n-j]zp[n-j]in[n-j]ip[n-j]vn[n-j]vp[n-j]tptn。 来自马克数据网