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一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法
申请人信息
- 申请人:中晶新源(上海)半导体有限公司
- 申请人地址:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼
- 发明人: 中晶新源(上海)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311392824.3 |
| 申请日 | 2023/10/25 |
| 公告号 | CN117334579A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 中晶新源(上海)半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘科科; 钟义栋; 董云 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼 |
摘要文本
中晶新源(上海)半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，然后蚀刻形成第一沟槽，然后蚀刻形成第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽共同形成阶梯形沟槽；去除第一硬掩膜层，通过热氧化生成氧化保护层；通过相反电性的离子注入形成促耗尽层；去除氧化保护层；在所述阶梯形沟槽内形成场氧化层、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅氧化层、栅极多晶硅和栅极氧化层。本发明在外延层通过相反电性的离子注入形成促耗尽层，可以有效降低侧壁的掺杂浓度，改变其内部电场分布，更有利于反向耗尽，在应用本发明的基础上，外延层的整体掺杂浓度可以设置的更高，因此可以降低功率半导体器件的导通电阻。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种屏蔽栅功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上形成具有第一沟槽开口的第一硬掩膜层，然后蚀刻形成第一沟槽，通过蚀刻将所述第一沟槽开口扩大为第二沟槽开口，然后蚀刻形成第二沟槽，所述第二沟槽的深度小于第一沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽共同形成阶梯形沟槽；去除第一硬掩膜层，通过热氧化生成氧化保护层；通过相反电性的离子注入，在紧邻所述氧化保护层的外延层部分形成促耗尽层；去除氧化保护层；在所述阶梯形沟槽内形成场氧化层、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅氧化层、栅极多晶硅和栅极氧化层。