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一种功率器件的形成方法及功率器件
申请人信息
- 申请人:中晶新源(上海)半导体有限公司
- 申请人地址:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼
- 发明人: 中晶新源(上海)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种功率器件的形成方法及功率器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311187437.6 |
| 申请日 | 2023/9/14 |
| 公告号 | CN117334568A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/28 |
| 权利人 | 中晶新源(上海)半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘科科; 钟义栋; 董云 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼 |
摘要文本
中晶新源(上海)半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种功率器件的形成方法及功率器件，所述功率器件包括分离栅，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺杂浓度；S3、去除除了位于所述槽的侧壁以外的多晶硅；S4、热氧化形成多晶硅间隔氧化层。其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的浓度不同。本发明的方法可以保证台面不被氧化消耗，同时氧化出栅氧和符合要求的多晶硅间隔氧化层。
专利主权项内容
1.一种功率器件的形成方法，所述功率器件包括分离栅，其特征在于，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺杂浓度；S3、去除除了位于所述槽的侧壁以外的多晶硅；S4、热氧化形成多晶硅间隔氧化层；其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的浓度不同。