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高压电源开关

申请号: CN202311648072.2
申请人: 上海安其威微电子科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 高压电源开关
专利类型 发明授权
申请号 CN202311648072.2
申请日 2023/12/4
公告号 CN117353723B
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 H03K17/687
权利人 上海安其威微电子科技有限公司
发明人 张侨; 丁紫宸
地址 上海市浦东新区张东路1387号7幢

摘要文本

上海安其威微电子科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,来源:马 克 团 队 本发明涉及半导体芯片电路设计技术领域,特别涉及高压电源开关。该高压电源开关包括场效应晶体管、反相器模块、钳位模块和控制逻辑模块。本发明可以使用低耐压器件来实现片上高压电源开关功能。

专利主权项内容

1.一种高压电源开关,其特征在于,包括作为开关的场效应晶体管、反相器模块;所述场效应晶体管的源极用于连接电源模块,所述场效应晶体管的漏极用于连接待供电的电路模块,所述反相器模块的输出端连接所述场效应晶体管的栅极,用于控制所述场效应晶体管的导通和关断,其中,当所述场效应晶体管导通时,所述电路模块获得供电,并且当所述场效应晶体管关断时,所述电路模块无法获得供电;所述反相器模块包括反相器和电压调节支路,所述电压调节支路连接所述反相器的输出端,所述电压调节支路包括第一晶体管,所述第一晶体管的控制端连接所述反相器的输出端,所述第一晶体管的第一端连接所述场效应晶体管的栅极和所述电源模块,用于将所述反相器的输出电压抬高后输出至所述场效应晶体管的栅极,其中,所述场效应晶体管的源极与栅极之间的电压小于所述场效应晶体管的可靠性耐压值;所述反相器的控制端连接控制信号,电源端与所述场效应晶体管的源极连接并且用于连接所述电源模块,并且接地端接地。