一种阶梯介质层的沟槽半导体器件的制作方法

专利主权项内容

1.一种阶梯介质层的沟槽半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在外延层上形成沟槽，在沟槽内生成介质层并填充光阻层，所述光阻层为正光阻材料层；通过对所述光阻层曝光和显影去除沟槽外的光阻层，且沟槽内的至少一部分所述光阻层由于在曝光过程中未充分曝光而保留；蚀刻所述介质层至一预设的保留深度，然后去除所述光阻层，并且在沟槽内进一步生成介质层，使介质层在沟槽侧壁形成阶梯形结构；具体包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成沟槽，所述沟槽包括有源区沟槽和终端区沟槽，在所述外延层表面和沟槽内壁设置第一场介质层；在所述沟槽内壁以及第一场介质层表面设置光阻层，所述光阻层为正光阻材料层，对所述光阻层进行无掩膜曝光；对外延层上表面和沟槽内壁上部的所述第一场介质层进行干法蚀刻；去除剩余的所述光阻层；在外延层上表面和沟槽内壁设置第二场介质层；在沟槽内设置第一多晶硅区；对有源区沟槽内的第一多晶硅区进行回刻，对有源区的第二场介质层的外露部分进行蚀刻；生成氧化层，所述生成氧化层包括：在有源区沟槽的第一多晶硅区上表面生成隔离氧化层，在有源区沟槽的第一多晶硅区上方的沟槽侧壁生成栅氧化层，以及在外延层上表面生成表面氧化层；在所述隔离氧化层上方设置第二多晶硅区，所述第二多晶硅区为栅极多晶硅区。