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一种SGT-MOSFET器件及其制作工艺
申请人信息
- 申请人:中晶新源(上海)半导体有限公司
- 申请人地址:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼
- 发明人: 中晶新源(上海)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SGT-MOSFET器件及其制作工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311506322.9 |
| 申请日 | 2023/11/13 |
| 公告号 | CN117637480A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 中晶新源(上海)半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘科科; 钟义栋; 董云 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼 |
摘要文本
中晶新源(上海)半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种SGT‑MOSFET器件及其制作工艺，所述制作工艺步骤包括：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上开设深沟槽；在所述深沟槽设置场氧化层和屏蔽栅多晶硅；在所述深沟槽的侧壁以及所述屏蔽栅多晶硅的上表面沉积氮化硅保护层；在所述深沟槽内填充高掺杂多晶硅，回刻所述高掺杂多晶硅；氧化所述高掺杂多晶硅形成隔离氧化层前体；蚀刻所述氮化硅保护层和所述场氧化层，形成隔离氧化层；在所述深沟槽内设置栅极氧化层和栅极多晶硅。本发明通过调整IPO工艺，形成一种形貌规则、质量可靠的栅源极间隔离氧化层，另一方面本发明不受HDP‑CVD填充深宽比工艺限制，可以用于小元胞尺寸产品形成形貌规则的IPO。
专利主权项内容
1.一种SGT-MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上开设深沟槽；在所述深沟槽设置场氧化层和屏蔽栅多晶硅；在外露的所述深沟槽的侧壁以及所述屏蔽栅多晶硅的上表面沉积氮化硅保护层；在所述深沟槽内填充高掺杂多晶硅，回刻所述高掺杂多晶硅；氧化所述高掺杂多晶硅形成隔离氧化层前体；蚀刻外露的所述氮化硅保护层，进一步蚀刻外露的所述场氧化层，并形成隔离氧化层，所述隔离氧化层包括未被蚀刻的部分氮化硅保护层和未被蚀刻的部分隔离氧化层前体；在所述深沟槽内设置栅极氧化层和栅极多晶硅。 更多数据：搜索马克数据网来源：