一种根据LLC反向升压控制电路

专利主权项内容

1.一种根据LLC反向升压控制电路，其特征在于：包括交流输入端口LIN和NIN、直流端口+DC和-DC、原边MCU、副边MCU、直流电压采样单元和交流电压采样单元，所述原边MCU通过所述交流电压采样单元连接交流输入端口LIN和NIN，所述副边MCU通过所述直流电压采样单元连接直流端口+DC和-DC，所述原边MCU与所述副边MCU连接；
所述端口LIN连接电容C3的一端和电感L13的一端，所述电感L13的另一端连接MOS管Q13的源级和MOS管Q14的漏极，所述端口NIN连接所述电容C3的另一端、MOS管Q16的源级和MOS管Q15的漏极，所述MOS管Q13的漏极连接所述MOS管Q16的漏极、电容C1的一端、MOS管Q8的漏极和MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q14的源级连接所述MOS管Q15的源级、所述电容C1的另一端、MOS管Q9的源级、MOS管Q10的源级和端口GND，所述MOS管Q8的源级连接所述MOS管Q9的漏极和变压器TX2的引脚3，所述MOS管Q11的源级连接所述MOS管Q10的漏极和电感L1的一端，所述电感L1的另一端连接电容C76的一端，所述电容C76的另一端连接所述变压器TX2的引脚4；
所述端口+DC连接电容C2的一端、MOS管Q4的漏极和MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源级连接所述变压器TX2的引脚1和MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q4的源级连接所述变压器TX2的引脚2和MOS管Q3的漏极，所述端口-DC连接所述电容C2的另一端、所述MOS管Q3的源级和所述MOS管Q2的源级。