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一种高可靠性的表面贴装熔断器及制造工艺

申请号: CN202311650590.8
申请人: 上海松山电子有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种高可靠性的表面贴装熔断器及制造工艺
专利类型 发明申请
申请号 CN202311650590.8
申请日 2023/12/4
公告号 CN117524809A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 H01H85/041
权利人 上海松山电子有限公司
发明人 李俊
地址 上海市金山区金山工业区天工路188号

摘要文本

本申请提供了一种高可靠性的表面贴装熔断器,包括熔断层,以及夹持熔断层的上腔体和下腔体,熔断层包括熔断部,以及连接于熔断部两端的连接部;上腔体和下腔体相对夹持熔断层的连接部,且上腔体的两端仅覆盖部分熔断层的连接部;上腔体和下腔体的整个端面,以及连接部暴露的表面覆盖设置有导电层。使得导电层与熔断层之间的连接稳定性增加,不易在高温、温度大幅变化以及震动等情况下出现剥离情况,具有较高的连接稳定性;同时,增加接触面积可以使得熔断层的额定电流增加,可以在高电流等使用场景中保持较高的导通稳定性和熔断可靠性。

专利主权项内容

1.一种高可靠性的表面贴装熔断器,其特征在于,包括熔断层,以及夹持所述熔断层的上腔体和下腔体;所述熔断层包括熔断部,以及连接于所述熔断部两端的连接部;所述上腔体和所述下腔体相对夹持所述熔断层的连接部,且所述上腔体的两端仅覆盖部分所述熔断层的连接部;所述上腔体和所述下腔体的整个端面,以及所述连接部暴露的表面覆盖设置有导电层。。