一种增强型NMOS管的控制电路

专利主权项内容

1.一种增强型NMOS管的控制电路，其特征在于，包括：
用于产生负电压的负压产生单元；
由第一三极管、第一二极管组成的用于控制增强型NMOS管导通的导通单元；
由第二三极管、第二二极管组成的用于通过所述负电压控制增强型NMOS管关断的关断单元；
所述负压产生单元的输入端、所述第一三极管的集电极、负载的电源端均与市电端连接，所述负压产生单元的输出端与所述第二三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极、所述第二三极管的基极均与负载控制器的信号输出端连接，所述第一三极管的发射极与所述第一二极管的阳极连接，所述第二三极管的发射极与所述第二二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极、所述第二二极管的阴极均与所述增强型NMOS管的栅极连接，所述增强型NMOS管的漏极与所述负载的输入端连接。