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一种优化DDR5金手指扇出信号质量的PCB结构

申请号: CN202420349295.2
申请人: 珠海市一博科技有限公司
更新日期: 2026-06-12

摘要文本

珠海市一博科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种优化DDR5金手指扇出信号质量的PCB结构,应用于DDR5 RDIMM拓扑链路的走线段L0/L1中,包括:PCB板,包括顶层、底层以及位于顶层和底层之间的内层;金手指组件,设置在PCB板的端部且位于顶层和/或底层,包括相互隔离的若干接地金手指和若干信号金手指;走线,设置在PCB板上,包括若干地走线和若干信号走线;过孔,设置在PCB板上,包括若干第一回流地过孔、若干第二回流地过孔和若干信号过孔;其中,每个信号过孔的0.65‑1mm中心间距以内至少存在一个第二回流地过孔。本实用新型不需要增加其他的器件和设计或加工成本,即可明显的优化扇出的信号质量。

专利主权项内容

微信公众号 1.一种优化DDR5金手指扇出信号质量的PCB结构,应用于DDR5 RDIMM拓扑链路的走线段L0/L1中,其特征在于,包括:
PCB板,包括顶层、底层以及位于所述顶层和所述底层之间的内层;
金手指组件,设置在所述PCB板的端部且位于所述顶层和/或所述底层,包括相互隔离的若干接地金手指和若干信号金手指;
走线,设置在所述PCB板上,包括若干与相应的所述接地金手指电连接的地走线和若干与相应的所述信号金手指电连接的信号走线;
过孔,设置在所述PCB板上,包括若干与相应的所述接地金手指电连接的第一回流地过孔、若干第二回流地过孔和若干与相应的所述信号金手指电连接的信号过孔;
其中,每个所述信号过孔的0.65-1mm中心间距以内至少存在一个所述第二回流地过孔。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种优化DDR5金手指扇出信号质量的PCB结构
专利类型 实用新型
申请号 CN202420349295.2
申请日 2024/2/26
公告号 CN222147892U
公开日 2024/12/10
IPC主分类号 H05K1/11
权利人 珠海市一博科技有限公司
发明人 肖勇超; 吴均
地址 广东省珠海市金湾区平沙镇怡乐路161号