← 返回列表
一种基于选区激光3D打印和两步烧结制备高致密SiC陶瓷的方法
申请人信息
- 申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址:200050 上海市长宁区定西路1295号
- 发明人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于选区激光3D打印和两步烧结制备高致密SiC陶瓷的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311580946.5 |
| 申请日 | 2023/11/24 |
| 公告号 | CN117658641A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | C04B35/565 |
| 权利人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 发明人 | 殷杰; 王康龙; 刘学建; 黄政仁; 刘雷敏; 姚秀敏 |
| 地址 | 上海市长宁区定西路1295号 |
摘要文本
中国科学院上海硅酸盐研究所获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明属于增材制造技术领域，涉及一种基于选区激光3D打印和两步烧结制备高致密SiC陶瓷的方法。所述方法包括以下步骤：S1称量原料：按照以下比例称量包括碳化硅、碳源和粘结剂的原料，其中，以碳化硅、碳源和粘结剂的总体积分数为100vol％计，碳化硅粉体的含量为35～65vol％，碳源的含量为30～60vol％，粘结剂的含量为5～25vol％；S2成型：将上述原料充分混合的混合料通过选区激光3D打印成素坯；S3排胶：对素坯进行排胶得到预制体；S4欠硅反应烧结：将预制体埋硅进行欠硅反应烧结，埋硅所使用的硅质量为理论计算时该硅和预制体的碳完全反应需要的硅质量的40％～95％，得到第一烧结体；S5常压固相烧结：将第一烧结体常压固相烧结得到高致密SiC陶瓷。
专利主权项内容
1.一种基于选区激光3D打印和两步烧结制备高致密SiC陶瓷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1称量原料：按照以下比例称量包括碳化硅、碳源和粘结剂的原料，其中，以碳化硅、碳源和粘结剂的总体积分数为100vol％计，碳化硅粉体的含量为35～65vol％，碳源的含量为30～60vol％，粘结剂的含量为5～25vol％；S2成型：将上述原料充分混合的混合料通过选区激光3D打印成素坯；S3排胶：对素坯进行排胶得到预制体；S4欠硅反应烧结：将预制体埋硅进行欠硅反应烧结，埋硅所使用的硅质量为理论计算时该硅和预制体的碳完全反应需要的硅质量的40％～95％，得到第一烧结体；S5常压固相烧结：将第一烧结体常压固相烧结得到高致密SiC陶瓷。