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金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法
申请人信息
- 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址:200050 上海市长宁区长宁路865号
- 发明人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311555216.X |
| 申请日 | 2023/11/20 |
| 公告号 | CN117577518A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人 | 欧欣; 赵天成; 徐文慧; 游天桂; 瞿振宇 |
| 地址 | 上海市长宁区长宁路865号 |
摘要文本
中国科学院上海微系统与信息技术研究所获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
专利主权项内容
1.一种金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金刚石衬底；进行硅离子注入，形成自下而上叠置包括金刚石基底、硅离子注入层、金刚石薄膜及石墨薄膜的第一复合结构；进行第一表面处理，去除所述石墨薄膜；进行退火及第二表面处理，去除所述金刚石薄膜，形成自下而上叠置包括所述金刚石基底及碳化硅层的第二复合结构；于所述碳化硅层的表面形成氧化镓薄膜，形成自下而上叠置包括所述金刚石基底、所述碳化硅层及氧化镓薄膜的第三复合结构。。 （来自 马克数据网）