← 返回列表
半导体结构
申请人信息
- 申请人:上海云攀半导体有限公司
- 申请人地址:201103 上海市闵行区万源路2800号
- 发明人: 上海云攀半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311448240.3 |
| 申请日 | 2023/11/1 |
| 公告号 | CN117727758A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L27/088 |
| 权利人 | 上海云攀半导体有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 上海市闵行区万源路2800号 |
摘要文本
上海云攀半导体有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：衬底；交替排布的功能晶体管和浮空晶体管，功能晶体管包括：功能栅极、第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，功能栅极位于衬底表面，第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区位于功能栅极的相对两侧，浮空晶体管包括：浮空栅极、第三源漏掺杂区和第四源漏掺杂区，浮空栅极位于衬底表面，第三源漏掺杂区和第四源漏掺杂区位于浮空栅极的相对两侧，且第三源漏掺杂区和浮空晶体管一侧的功能晶体管的第二源漏掺杂区电连接，第四源漏掺杂区和浮空晶体管另一侧的功能晶体管的第一源漏掺杂区电连接，浮空晶体管为无功能晶体管。可以在提高半导体结构的集成度的同时增加半导体结构的过流能力。 来源：专利查询网
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；交替排布的功能晶体管和浮空晶体管，所述功能晶体管包括：功能栅极、第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，所述功能栅极位于所述衬底表面，所述第一源漏掺杂区和所述第二源漏掺杂区位于所述功能栅极的相对两侧，所述浮空晶体管包括：浮空栅极、第三源漏掺杂区和第四源漏掺杂区，所述浮空栅极位于所述衬底表面，所述第三源漏掺杂区和所述第四源漏掺杂区位于所述浮空栅极的相对两侧，且所述第三源漏掺杂区和所述浮空晶体管一侧的所述功能晶体管的所述第二源漏掺杂区电连接，所述第四源漏掺杂区和所述浮空晶体管另一侧的所述功能晶体管的所述第一源漏掺杂区电连接，所述浮空晶体管为无功能晶体管。